GPU制造中NMOS嵌入式SiC源漏工艺技术全集
第一部分:嵌入式SiC工艺工序详表
表1:嵌入式SiC工艺完整工序流程
| 序号 |
工艺工序名称 |
工艺步骤 |
核心参数 |
其他参数 |
关键部件及原材料 |
控制指标 |
加工设备类型 |
加工工艺/技巧 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 |
衬底准备 |
1.1 硅晶圆清洗 |
温度: 600-800°C |
晶向: (100) |
Si晶圆、O₂气体、清洗液(SC1/SC2) |
氧化层厚度均匀性(±0.1nm) |
清洗槽 |
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