【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第十六篇 GPU 05 工艺(3)

GPU制造中NMOS嵌入式SiC源漏工艺技术全集

第一部分:嵌入式SiC工艺工序详表

表1:嵌入式SiC工艺完整工序流程

序号

工艺工序名称

工艺步骤

核心参数

其他参数

关键部件及原材料

控制指标

加工设备类型

加工工艺/技巧

1

衬底准备​

1.1 硅晶圆清洗
1.2 热氧化生长薄SiO₂层(1-5nm)
1.3 衬底温度稳定

温度: 600-800°C
厚度: 1-5nm
表面粗糙度: <0.2nm

晶向: (100)
晶圆尺寸: 300mm
掺杂浓度: 1-10 Ω·cm p型

Si晶圆、O₂气体、清洗液(SC1/SC2)

氧化层厚度均匀性(±0.1nm)
界面态密度(Dit)<1e10 cm⁻²eV⁻¹

清洗槽

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